发布时间：2022-11-29 15:37:56
MOSFET是一种三端、电压控制、高输入阻抗和单极器件，是不同电子电路中***的元件。一般来说，这些器件根据其默认状态下是否有相应的通道，分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两类。
同样，增强型MOSFET分为P沟道增强型和N沟道增强型，耗尽型MOSFET分为P沟道耗尽型和N沟道耗尽型。在本文中，小编将介绍其中一种类型的MOSFET，即P沟道MOSFET。
基本概念
沟道由大多数电荷载流子作为空穴组成的一种MOSFET称为P沟道MOSFET。一旦这个MOSFET被激活，那么大多数电荷载流子(如空穴)将在整个通道中移动。
P沟道MOSFET与N沟道MOSFET不同，因为在N MOSFET中，大部分电荷载流子是电子。增强模式和耗尽模式下的P沟道MOSFET符号
P沟道MOSFET包括一个P沟道区域，该区域布置在两个端子之间，如源极 (S) 和漏极 (D) 并且主体为N区域。与N沟道MOSFET类似，这种类型的MOSFET也包括源极、漏极和栅极三个端子。其中，源极和漏极都用P型材料重掺杂，并且P沟道MOSFET中使用的衬底类型是N型。
工作原理
P沟道MOSFET中的大多数电荷载流子是空穴，与N沟道MOSFET中使用的电子相比，这些电荷载流子的迁移率较低。P沟道和N沟道MOSFET之间的主要区别在于，在P沟道中，需要从Vgs(栅***子到源极)的负电压来激活MOSFET，而在N沟道中，它需要正VGS电压。因此，这使得P沟道型MOSFET成为高端开关的***选择。
每当在P沟道MOSFET的栅***施加负 (-) 电压时，氧化物层下方可用的电荷载流子(如电子)就会被向下推入衬底，空穴占据的耗尽区与施主原子相连。因此，负 (-) 栅极电压会将空穴从漏极区域和p+源极吸引到沟道区域。
主要类型
目前有两种类型的P沟道MOSFET可用，即P沟道增强型MOSFET和P沟道耗尽型MOSFET。
1、P沟道增强型MOSFET
P沟道增强型MOSFET采用轻掺杂N衬底进行简单设计。在这里，两种重掺杂的P型材料通过一定沟道长度分开，薄二氧化硅层沉积在通常称为介电层的基板上。在P沟道增强型MOSFET中，两种P型材料形成源极 (S) 和漏极 (D)，铝用作电介质上的镀层以形成栅极 (G) 端子。其中，MOSFET的源极和主体简单地连接到 GND。
当向栅极 (G) 端子施加负电压时，由于电容效应，电荷的+ve浓度将稳定在介电层下方。由于排斥力，在N衬底上可用的电子将被移动。
当在漏***子施加负电压时，漏极区域内的负电压减小，栅极和漏极之间的电压差减小，因此，导电沟道宽度向漏极区域减小，电流从源极供应到漏极。
MOSFET内形成的沟道对从源极到漏极的电流提供阻力，并且沟通的横截面取决于施加在栅***子上的负电压。因此，从源极流向漏极的电流可以通过施加在栅***子上的电压来控制，所以MOSFET被称为电压控制器件。当空穴浓度形成沟道时，由于负栅极电压的增加，整个沟道的电流得到改善，因此这被称为 P沟道增强型MOSFET。
2、P沟道耗尽型MOSFET
P沟道耗尽型MOSFET结构与N沟道耗尽型MOSFET相反。由于其中存在可用的P型杂质，因此该MOSFET中的通道是预先构建的。一旦在栅***施加负 (-) 电压，N型中的少数电荷载流子(如电子)就会被吸引到P型沟道。在这种情况下，一旦漏极反向偏置，则器件开始导通，尽管当漏极内的负电压增强时，会导致耗尽层形成。
