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电压ClassSiIGBT和SiCMOSFET的封装发布日期：2024-05-11 09:40:46
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。　　对于这些电力电子系统中使用的拓扑，从***的两电平转换器到更***的具有无源或有源控制或 T 型的 3L NPC，再到更复杂的转换器，如模块化多电平或级联 H 桥多电平，有许多效率、元件数量、谐波失真、可靠性和成本的优化。在电力电子系统中使用的所有组件中，用于打开和关闭电流的开关是重要的。　　在高压开关范围（>3 kV）中，我们近年来观察到可用选项的聚集。一方面，我们有相控晶闸管 (PCT) [1] 或集成门极换流晶闸管 (IGCT) [2] 等电流控制器件，另一方面，我们
双向可控硅简介发布日期：2023-08-07 13:47:43
  双向可控硅简介　　双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。　　双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2， 一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在***和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当选用并采取相应
IGBT的工作原理和作用发布日期：2023-07-25 14:49:56
  IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。
IGBT的功能特点和原理介绍发布日期：2023-07-14 16:31:33
所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。而平时我们在实际中使用的IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。前面介绍了Power MOSFET，而IGBT其实本质上还是一个场效应晶体管，从结构上看和Pow
P沟道MOSFET的基本概念及主要类型发布日期：2022-11-29 15:37:56
MOSFET是一种三端、电压控制、高输入阻抗和单极器件，是不同电子电路中***的元件。一般来说，这些器件根据其默认状态下是否有相应的通道，分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两类。    同样，增强型MOSFET分为P沟道增强型和N沟道增强型，耗尽型MOSFET分为P沟道耗尽型和N沟道耗尽型。在本文中，小编将介绍其中一种类型的MOSFET，即P沟道MOSFET。    基本概念    沟道由大多数电荷载流子作为空穴组成的一种MOSFET称为P沟道MOSFET。一旦这个MOSFET被激活，那么大多数电荷载流子(如空穴)将在整个通道
IGBT的内部结构发布日期：2022-11-02 15:36:51
IGBT的工作原理和作用：　　IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。　　IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。　　IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的
跌落式熔断器的正确操作方法发布日期：2022-08-17 10:46:52
在实践中，通过对高压跌落式熔断器操作的不断总结，人们发现三相负荷在开断***相时，断口电压较低，产生电弧小；开断***相时，断口电压较高，切断电路后往往出现强烈的电弧，易使邻相短路；较后拉第三相时，因电路已无电流，也就不会产生电唬因此，拉***相是确保安全的关键。另外，气流对操作的安全影响也较为明显，当气流将电弧拉长后有可能引起相间短路，造成大的弧光，危及操作人员的安全。一般的跌落式熔断器没有消弧装置，所以在变压器停送电时，为了防止电弧***事故，应避免带负荷拉闸。变压器停电时，先拉低压侧各分路(支路)开关，再拉低压线路总开关，较后拉变压器髙压熔断器，变压器送电操作顺序与此相反。为了防止误操作
igbt和可控硅的区别发布日期：2022-08-03 11:08:05
可控硅可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效***、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲（或负脉冲）可使其正向（或反向）导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。IGBTIGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双
数字万用表的简介发布日期：2022-06-02 11:19:02
数字万用表是目前最常用的一种数字仪表。其主要特点是准确度高、分辨率强、测试功能完善、测量速度快、显示直观、过滤能力强、耗电省，便于携带。进入90年代以来，数字万用表在我国获得迅速普及与广泛使用，已成为现代电子测量与维修工作的***仪表，并正在逐步取代传统的模拟式（即指针式）万用表。数字万用表亦称为数字多用表（DMM），其种类繁多，型号各异。每个电子工作者都希望有一块较理想的数字万用表。选择数字万用表的原则很多，有时甚至会因人而异。但对于手持式（袖珍式）数字万用表而言，大致应具备以下特点：显示清晰，准确度高，分辨力强，测试范围宽，测试功能齐全，抗干扰能力强，保护电路比较完善，外形美观、大方、操作
二极管分类发布日期：2022-05-27 10:39:56
一、根据构造分类　　半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管　　点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。2、键型二极管　　键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形
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