发布时间：2024-05-11 09:40:46
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。
对于这些电力电子系统中使用的拓扑，从***的两电平转换器到更***的具有无源或有源控制或 T 型的 3L NPC，再到更复杂的转换器，如模块化多电平或级联 H 桥多电平，有许多效率、元件数量、谐波失真、可靠性和成本的优化。在电力电子系统中使用的所有组件中，用于打开和关闭电流的开关是重要的。
在高压开关范围（>3 kV）中，我们近年来观察到可用选项的聚集。一方面，我们有相控晶闸管 (PCT) [1] 或集成门极换流晶闸管 (IGCT) [2] 等电流控制器件，另一方面，我们有绝缘栅双极晶体管(IGBT ) 等电压控制开关) 或 SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
这些开关主要有两类封装：压接式解决方案（即用于 BiPolar 的 Hockey Pack 和用于 IGBT [3] 的 StakPak）和隔离模块。对于隔离式高压模块，HiPak 一直是***的主。它用于牵引变流器、中压驱动器和电网应用（即 SVC、互联系统、STATCOM、HVDC阀门等）。提出了一种新的封装
该封装称为 LinPak。我们于 2016 年初推出了个 LV LinPak 版本（V *** = 6 kV）进行商业运营。HV LinPak (V ***=10.2kV）。这些封装很快就被接受，并且由于其改进的性能特征，对它们的需求也很多。
